[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201811100712.5 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109545846B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 宋在烈;裵洙瀯;李东洙;丁炯硕;玄尚镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，其包括：衬底；在衬底上的第一有源区和第二有源区；与第一有源区交叉的第一凹陷；与第二有源区交叉的第二凹陷；沿着第一凹陷和第二凹陷的侧壁延伸的栅极间隔物；第一下高k电介质膜，其在第一凹陷中并包括第一浓度的第一高k电介质材料、以及第二高k电介质材料；第二下高k电介质膜，其在第二凹陷中并包括大于第一浓度的第二浓度的第一高k电介质材料、以及第二高k电介质材料；第一含金属膜，其在第一下高k电介质膜上并包括第三浓度的硅；以及第二含金属膜，其在第二下高k电介质膜上并包括小于第三浓度的第四浓度的硅。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；布置在所述衬底上的第一有源区和第二有源区；在所述第一有源区上并且与所述第一有源区交叉的第一凹陷；在所述第二有源区上并且与所述第二有源区交叉的第二凹陷；沿着所述第一凹陷的侧壁和所述第二凹陷的侧壁延伸的栅极间隔物；在所述第一凹陷中的第一下高k电介质膜，所述第一下高k电介质膜包括第一浓度的第一高k电介质材料、以及不同于所述第一高k电介质材料的第二高k电介质材料；在所述第二凹陷中的第二下高k电介质膜，所述第二下高k电介质膜包括大于所述第一浓度的第二浓度的所述第一高k电介质材料、以及所述第二高k电介质材料；在所述第一凹陷中在所述第一下高k电介质膜上的第一含金属膜，所述第一含金属膜包括第三浓度的硅(Si)；以及在所述第二凹陷中在所述第二下高k电介质膜上的第二含金属膜，所述第二含金属膜包括小于所述第三浓度的第四浓度的硅(Si)。
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