[发明专利]基于CMOS工艺的太赫兹微测辐射热计

摘要

一种基于CMOS工艺的太赫兹微测辐射热计，是采用0.18um BiCMOS工艺，在应用标准0.18um BiCMOS工艺制成的硅衬底上分别设置有宽带频率选择表面结构、窄带频率选择表面结构和PTAT温度传感电路，所述的宽带频率选择表面结构和窄带频率选择表面结构均是设置在Metal4金属层，所述的宽带频率选择表面结构和窄带频率选择表面结构分别接收外部电磁波f，所述PTAT温度传感电路输入端分别接收宽带频率选择表面结构和窄带频率选择表面结构所传递的信号，所述PTAT温度传感电路的输出端构成微测辐射热计的输出端，所述宽带频率选择表面结构确定有无太赫兹信号，窄带频率选择表面结构确定信号的精确频率，实现28.3THz信号的准确探测。

主权项

1.一种基于CMOS工艺的太赫兹微测辐射热计，其特征在于，是采用0.18um BiCMOS工艺，在应用标准0.18um BiCMOS工艺制成的硅衬底上分别设置有宽带频率选择表面结构(1)、窄带频率选择表面结构(2)和PTAT温度传感电路(3)，其中，所述的宽带频率选择表面结构(1)和窄带频率选择表面结构(2)均是设置在Metal4金属层，所述的宽带频率选择表面结构(1)和窄带频率选择表面结构(2)分别接收外部电磁波f，所述PTAT温度传感电路(3)输入端分别接收宽带频率选择表面结构(1)和窄带频率选择表面结构(2)所传递的信号，所述PTAT温度传感电路(3)的输出端构成微测辐射热计的输出端，所述宽带频率选择表面结构(1)确定有无太赫兹信号，窄带频率选择表面结构(2)确定信号的精确频率，实现28.3THz信号的准确探测。