[发明专利]一种抗侵蚀钼合金电极及其制造方法

摘要

本发明公开了一种抗侵蚀钼合金电极及其制造方法，通过固‑液掺杂和多元素球磨掺杂制成，再结晶温度高于1300℃，其微观组织为均匀的尺寸为20～70μm的晶粒，并由如下重量百分比的组分组成：ZrO₂3～5wt％、Si 0.8～1.2wt％、B 0.1～0.5wt％、GeO₂0.001～3wt％、SnO₂0.001～3wt％、Bi₂O₃0.001～3wt％、W 0～5wt％和Al₂O₃0～4wt％，余量为Mo及不可剔除的杂质。本发明通过合理的控制氧化锆的含量及Mo‑Si‑B合金的硅含量和硼含量的配比，能够很好的保证合金具有良好的抗侵蚀能力，高的再结晶温度和高温性能，同时又有很好的加工性能。此外，本发明钼合金电极中还掺入其他针对性微量元素，以提高其对于不同玻璃液的抗侵蚀性能。

主权项

1.一种抗侵蚀钼合金电极，其特征在于：通过固‑液掺杂和多元素球磨掺杂制成，再结晶温度高于1300℃，其微观组织为均匀的尺寸为20~70μm的晶粒，并由如下重量百分比的组分组成：ZrO₂ 3~5wt%、Si 0.8~1.2wt%、B 0.1~0.5wt%、GeO₂ 0.001~3wt%、SnO₂ 0.001~3wt%、Bi₂O₃ 0.001~3wt%、W 0~5wt%和Al₂O₃ 0~4wt%，余量为Mo及不可剔除的杂质。