[发明专利]一种嵌有小分子添加剂的OTFT氨气传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811080878.5 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN109270131A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 于军胜;杨祖崇;侯思辉;尚乾程 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 邹敏菲 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种嵌有小分子添加剂的OTFT氨气传感器及其制备方法，在有机半导体层中设置小分子添加剂时，采用溶液连续处理法或固态扩散法完成，从而得到嵌有至少包含一个氰基或氟基的小分子添加剂的OTFT氨气传感器，所述溶液连续处理法是在制得的有机半导体薄膜表面旋涂或浸涂含有小分子添加剂的正交溶液；所述固态扩散法是在制得的有机半导体薄膜表面真空热蒸镀小分子添加剂材料。通过本发明，在保证OTFT氨气传感器高灵敏度的同时，克服现有OTFT氨气传感器存在的稳定性差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 小分子添加剂 氨气传感器 嵌有 有机半导体薄膜 固态扩散 连续处理 制备 有机半导体层 表面真空 高灵敏度 热蒸镀 氟基 浸涂 氰基 旋涂 正交 保证 | ||
【主权项】：
1.一种嵌有小分子添加剂的OTFT氨气传感器，其特征在于，包括从下到上依次设置的衬底(1)、栅电极(2)、介电层(3)、嵌有小分子添加剂(5)的有机半导体层(4)，以及设置在有机半导体层(4)上的源电极(6)及漏电极(7)；所述小分子添加剂(5)的分子结构中至少包含一个氰基或氟基。
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