[发明专利]一种具有可拓展反向击穿电压新型二极管拓扑结构

摘要

本发明公开了一种新型二极管拓扑结构设计。包括耗尽型金属氧化物半导体晶体管M₁~M_n、具有低开启电压特性肖特基二极管D₁以及晶体管栅极限流电阻R₁~R_n。M₁漏极连接D₁负极，M₁栅极通过串联限流电阻R₁连接D₁正极。晶体管M₁~M_n栅、漏极相连，即M_n漏极连接M_n‑1源极，从而M₁~M_n源、漏极构成电流通道。同时，M_n栅极通过串联限流电阻与M_n‑1漏极相连接，从而实现对栅、源极之间电压控制，使得M₁~M_n各晶体管漏、源极电流和电压一致性。本发明所提供新型二极管拓扑结构保持正向低开启电压、拓展反向截止电压以及减少反向漏电流等优势，可用于无线能量传输技术领域中超宽功率动态范围整流电路设计。

主权项

1.一种具有栅极限流电阻二极管拓扑结构，其特征在于，包括具有低开启电压的肖特基二极管D1、耗尽型金属氧化物半导体场效应管M1以及M1栅极限流电阻R1，M1漏极连接D1负极，同时M1栅极串联限流电阻R1连接D1正极。