[发明专利]一种具有可拓展反向击穿电压新型二极管拓扑结构

权利要求书

1.一种具有栅极限流电阻二极管拓扑结构，其特征在于，包括具有低开启电压的肖特基二极管D₁、耗尽型金属氧化物半导体场效应管M₁以及M₁栅极限流电阻R₁，M₁漏极连接D₁负极，同时M₁栅极串联限流电阻R₁连接D₁正极。

2.根据权利要求1所述的一种具有栅极限流电阻二极管拓扑结构，其特征在于，所述M₁或者可为高电子迁移率晶体管。

3.一种包含权利要求1或2所述结构的一种具有可拓展反向击穿电压新型二极管拓扑结构，其特征在于，包括具有低开启电压肖特基二极管D₁，M₁~M_n耗尽型金属氧化物半导体场效应管以及连接在M₁~M_n栅极限流电阻R₁~R_n；

M₁漏极连接D₁负极，M₁栅极串联限流电阻R₁并与D₁正极连接；M₁~M_n漏、源极交替连接，即M_n漏极连接M_n-1源极，以此类推；M_n栅极串联限流电阻R_n与M_n-1漏极相连接，以此类推。

4.根据权利要求3所述的一种具有可拓展反向击穿电压新型二极管拓扑结构，其特征在于，所述M₁~M_n或可为高电子迁移率晶体管。

5.根据权利要求3所述的一种具有可拓展反向击穿电压新型二极管拓扑结构，其特征在于，正极为D₁正极，负极为M_n源极。