[发明专利]一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811075622.5 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109285894B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 王玮;王宏兴;问峰;王艳丰;林芳;张明辉;张景文;卜忍安;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L21/04 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法，包括金刚石衬底；在金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有台面区域；单晶金刚石外延薄膜上设置有刻蚀区域；台面区域内设置有多通道沟道区域和刻蚀区域；多通道沟道包括二维空穴气导电层；刻蚀区域包含氧、氟或氮终端；源电极和漏电极处于台面区域的两侧；栅电极设置在源电极和漏电极之间的多通道沟道区域和刻蚀区域上，且栅电极同时设置在单晶金刚石外延薄膜上的刻蚀区域上。本发明的晶体管器件能够获得常关型特性，且不会损伤导电沟道的性能，同时多通道结构也能够保证器件源漏之间的电流通过能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 基多 通道 调控 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管，其特征在于，包括：金刚石衬底(1)、单晶金刚石外延薄膜(2)、台面区域(3)、多通道沟道区域(4)、刻蚀区域(5)、源电极(6)、漏电极(7)和栅电极(8)；金刚石衬底(1)上设有一层单晶金刚石外延薄膜(2)；单晶金刚石外延薄膜(2)上设置有台面区域(3)和刻蚀区域(5)；台面区域(3)内设置有多通道沟道区域(4)和刻蚀区域(5)，多通道沟道区域(4)为氢终端，刻蚀区域(5)为非氢终端；多通道沟道(4)包括二维空穴气导电层；载流子能够在多通道沟道(4)内迁移；刻蚀区域(5)包含氧、氟或氮终端；源电极(6)和漏电极(7)处于台面区域(3)的两端；栅电极(8)设置在源电极(6)和漏电极(7)之间的多通道沟道区域(4)和刻蚀区域(5)上，且栅电极(8)同时设置在单晶金刚石外延薄膜(2)上的刻蚀区域(5)上。
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