[发明专利]一种低延迟低功耗的电流比较器在审
申请号: | 201811074481.5 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN109194314A | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 余飞;高雷;李利香;刘莉;蔡烁 | 申请(专利权)人: | 长沙理工大学 |
主分类号: | H03K5/24 | 分类号: | H03K5/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410114 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明提出一种低延迟低功耗的电流比较器,其特征在:1.使用单级放大器(共栅放大器,对应图6中跨接在输入电流镜MOS管(M1与M4)的栅漏级)以减小信号输入信号相关的失真,2.使用差分结构抑制共模噪声(双端输入信号Iin1和Iin2为差动信号),3.为了补偿输入信号裕度(输入电流范围),使用两款放大器(2个共源放大器(对应图6中Mp1‑Mp2,MN1‑MN2),一个CMOS反相器(Mp3与MN3))对差分信号进行放大并进行波形的修正,并通过调整CMOS反相器中的PMOS管的W/L(沟道长度与宽度),以期达到低功耗的目的。该发明使用1V电源电压,并取得了0.53ns的低传播延迟和52uW的低功耗(在输入为10ua的情况下)。 | ||
搜索关键词: | 低功耗 电流比较器 低延迟 放大器 双端输入信号 单级放大器 共源放大器 共栅放大器 输入电流镜 差动信号 差分结构 差分信号 传播延迟 电源电压 减小信号 输入电流 信号相关 信号裕度 抑制共模 沟道 跨接 栅漏 失真 噪声 放大 修正 | ||
【主权项】:
1.一种低延迟低功耗的电流比较器,其特征在:1.使用单级放大器(共栅放大器,对应图6中跨接在输入电流镜MOS管(M1与M4)的栅漏级)以减小信号输入信号相关的失真,2.使用差分结构抑制共模噪声(双端输入信号Iin1和Iin2为输入信号),3.为了补偿输入信号裕度(输入电流范围),使用两款放大器(2个共源放大器(对应图6中Mp1‑Mp2,MN1‑MN2),1个CMOS反相器(Mp3与MN3))对差分信号进行放大并进行波形的修正,并通过调整CMOS反相器中的PMOS管的W/L(沟道长度与宽度),以期达到低功耗的目的,该发明使用1V电源电压,并取得了0.53ns的低传播延迟和52uW的低功耗(在输入为10uA的情况下)。
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