[发明专利]一种抗直流偏置铁基纳米晶合金磁芯及制备方法在审
| 申请号： | 201811074077.8 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109192431A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 周国华;李忞;毛文龙;黄从伟 | 申请（专利权）人： | 江西中磁科技协同创新有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/147 | 分类号： | H01F1/147;H01F27/25;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 史炜炜;解敬文 |
| 地址： | 336000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抗直流偏置铁基纳米晶合金磁芯及制备方法，所说铁基合金材料各成分所占的重量比例为，Si 9‑12％，B 7‑10％，Nb 3‑5％，Cu 1‑2％，M 6‑12％，余下为Fe，M为Ni、Co、Cr、Ga或In。本发明抗直流偏置铁基纳米晶合金磁芯能够在宽频下保持较高恒定磁导率，同时具备良好的抗饱和能力和抗DC‑Bias特性。 | ||
| 搜索关键词： | 铁基纳米晶合金 抗直流偏置 磁芯 制备 铁基合金材料 恒定磁导率 抗饱和能力 宽频 | ||
【主权项】：
1.一种抗直流偏置铁基纳米晶合金磁芯，由铁基合金材料制成，其特征在于，所说铁基合金材料含有Si、B、Nb、M、Fe，M为Ni、Co、Cr、Ga或In。
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