[发明专利]倒装结构及倒装方法有效
申请号: | 201811074058.5 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN109243987B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 邱原 | 申请(专利权)人: | 苏州通富超威半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 215021 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种倒装结构及倒装方法,包括:提供衬底和半导体芯片,衬底包括器件区和包围器件区的非器件区,半导体芯片包括相对的第一表面和第二表面;将半导体芯片的第一表面固定连接到衬底器件区上;在半导体芯片的第二表面形成导热层;形成导热层后,在非器件区的衬底上形成包围半导体芯片的闭环结构的密封层;提供具有顶部和侧部的散热盖,侧部包括相对的第一端面和第二端面,顶部固设于第一端面,顶部具有焊料区和非焊料区,散热盖侧部或顶部非焊料区内具有若干通孔,通孔贯穿侧部或顶部,且若干通孔绕散热盖的中心轴均匀分布;将散热盖放置到密封层上,侧部的第二端面与密封层相接触,且使得顶部的焊料区与导热层电连接。所述方法提高了导热层的质量。 | ||
搜索关键词: | 倒装 结构 方法 | ||
【主权项】:
1.一种倒装方法,其特征在于,包括:提供衬底和半导体芯片,所述衬底包括器件区和非器件区,所述非器件区包围所述器件区,所述半导体芯片包括相对的第一表面和第二表面;将所述半导体芯片的第一表面固定连接到衬底器件区上;在所述半导体芯片的第二表面形成导热层;形成导热层后,在所述非器件区的衬底上形成闭环结构的密封层,所述密封层包围所述半导体芯片;提供散热盖,所述散热盖具有顶部和侧部,所述侧部包括相对的第一端面和第二端面,所述顶部固设于第一端面,所述顶部具有焊料区和非焊料区,所述散热盖侧部或顶部非焊料区内具有若干通孔,所述通孔贯穿所述侧部或顶部,且若干通孔绕所述散热盖的中心轴均匀分布;将所述散热盖放置到密封层上,所述侧部的第二端面与密封层相接触,且使得所述顶部的焊料区与导热层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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