[发明专利]倒装结构及倒装方法有效

专利信息
申请号: 201811074058.5 申请日: 2018-09-14
公开(公告)号: CN109243987B 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 邱原 申请(专利权)人: 苏州通富超威半导体有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 徐文欣;吴敏
地址: 215021 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种倒装结构及倒装方法,包括:提供衬底和半导体芯片,衬底包括器件区和包围器件区的非器件区,半导体芯片包括相对的第一表面和第二表面;将半导体芯片的第一表面固定连接到衬底器件区上;在半导体芯片的第二表面形成导热层;形成导热层后,在非器件区的衬底上形成包围半导体芯片的闭环结构的密封层;提供具有顶部和侧部的散热盖,侧部包括相对的第一端面和第二端面,顶部固设于第一端面,顶部具有焊料区和非焊料区,散热盖侧部或顶部非焊料区内具有若干通孔,通孔贯穿侧部或顶部,且若干通孔绕散热盖的中心轴均匀分布;将散热盖放置到密封层上,侧部的第二端面与密封层相接触,且使得顶部的焊料区与导热层电连接。所述方法提高了导热层的质量。
搜索关键词: 倒装 结构 方法
【主权项】:
1.一种倒装方法,其特征在于,包括:提供衬底和半导体芯片,所述衬底包括器件区和非器件区,所述非器件区包围所述器件区,所述半导体芯片包括相对的第一表面和第二表面;将所述半导体芯片的第一表面固定连接到衬底器件区上;在所述半导体芯片的第二表面形成导热层;形成导热层后,在所述非器件区的衬底上形成闭环结构的密封层,所述密封层包围所述半导体芯片;提供散热盖,所述散热盖具有顶部和侧部,所述侧部包括相对的第一端面和第二端面,所述顶部固设于第一端面,所述顶部具有焊料区和非焊料区,所述散热盖侧部或顶部非焊料区内具有若干通孔,所述通孔贯穿所述侧部或顶部,且若干通孔绕所述散热盖的中心轴均匀分布;将所述散热盖放置到密封层上,所述侧部的第二端面与密封层相接触,且使得所述顶部的焊料区与导热层电连接。
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