[发明专利]一种大规模晶体硅颗粒的制备方法有效
| 申请号： | 201811070839.7 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109208070B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 黄青松;刘强;齐瑞峰;苏栎权 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/06;C01B33/021 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅表面外延生长大规模晶体硅颗粒的制备方法，所述晶体硅颗粒生长在单晶碳化硅表面，所述制备方法包括如下步骤：S100：对单晶碳化硅片进行加热处理；S200：当所述密封环境的温度升至500℃‑2000℃后，进行保温处理；所述保温处理的时间为1 s‑100 h；S300：保温结束后，进行降温处理；降至室温后即可得到生长在单晶碳化硅表面的大规模晶体硅颗粒。本发明生产设备更加简单，与单晶硅片激光打印法制不同晶型的硅颗粒相比，不需要昂贵的激光设备，成本廉价且能够大规模制备晶体硅颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大规模 晶体 颗粒 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅表面外延生长大规模晶体硅颗粒的制备方法，其特征在于，所述晶体硅颗粒生长在单晶碳化硅表面，所述制备方法包括如下步骤：S100：对单晶碳化硅片进行加热处理；所述加热处理在密封环境中进行，并且所述密封环境中充满第一气体；所述加热处理的过程中维持所述密封环境的压力为1atm ‑ 20 atm；S200：当所述密封环境的温度升至500 ℃ ‑ 2000 ℃后，进行保温处理；所述保温处理的时间为1 s ‑ 100 h；S300：保温结束后，进行降温处理；降至室温后即可得到生长在单晶碳化硅表面的大规模晶体硅颗粒。
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