[发明专利]一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器在审
| 申请号： | 201811070251.1 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109245734A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 马凯学;谢昌梓;牟首先;孟凡易 | 申请（专利权）人： | 胡建全 |
| 主分类号： | H03F1/56 | 分类号： | H03F1/56;H03F1/26;H03F3/193;H03F3/21;H03G3/30 |
| 代理公司： | 成都路航知识产权代理有限公司 51256 | 代理人： | 李凌 |
| 地址： | 650000 云南省丽江市玉龙*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器，包括依次连接的输入匹配网络、前级增益放大电路、级间匹配网络、后级功率放大电路和阻抗变换网络；所述前级增益放大电路、后级功率放大电路均包括SiGe BiCMOS；所述前级增益放大电路、后级功率放大电路的输入端分别连接有第一偏置电路、第二偏置电路。采用二级放大，且采用SiGe BiCMOS作为放大管，能够满足在较高的效率下实现足够的增益和输出功率，解决CMOS性能差，III‑V族半导体成本高、体积大等问题，而且其具有比较高的特征频率和噪声特性，更利于集成。 | ||
| 搜索关键词： | 功率放大电路 增益放大电路 前级 射频功率放大器 偏置电路 输入匹配网络 阻抗变换网络 二级放大 匹配网络 输出功率 特征频率 依次连接 噪声特性 放大管 输入端 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，包括依次连接的输入匹配网络、前级增益放大电路、级间匹配网络、后级功率放大电路和阻抗变换网络；所述前级增益放大电路、后级功率放大电路均包括SiGe BiCMOS；所述前级增益放大电路、后级功率放大电路的输入端分别连接有第一偏置电路、第二偏置电路。
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