[发明专利]一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器在审

专利信息
申请号: 201811069459.1 申请日: 2018-09-13
公开(公告)号: CN109302152A 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 牟首先;王晓阳;马凯学;孟凡易 申请(专利权)人: 胡建全
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F1/02;H03F3/19;H03G3/30
代理公司: 成都路航知识产权代理有限公司 51256 代理人: 李凌
地址: 674100 云南省丽江市玉龙*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器,包括依次连接的输入电路和输出电路;所述输入电路包括第一电阻R1、第一电容C1、第一MOS管NM1和变压器;所述变压器包括互感的第一线圈和第二线圈;所述R1的一端和第一线圈的一端共节点,且R1的另一端接偏置电压Vbias,第一线圈的另一端接NM1的栅极;所述C1的一端、NM1的源极和第二线圈的一端共节点,且C1的另一端接输入电压Vin,第二线圈的另一端接地,NM1的漏级接输出电路;所述NM1的衬底接衬底偏置电压Vbs。本发明一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器,由于变压器和衬底偏置电压的相互作用,实现了整个装置的低功耗、低噪声和高增益。
搜索关键词: 衬底偏置 低噪声放大器 低耗电流 复用 变压器 输出电路 输入电路 偏置电压 输入电压 依次连接 接地 低功耗 低噪声 高增益 电容 衬底 电阻 互感 源极
【主权项】:
1.一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器,其特征在于,包括依次连接的输入电路(1)和输出电路(2);所述输入电路包括第一电阻R1、第一电容C1、第一MOS管NM1和变压器(3);所述变压器(3)包括互感的第一线圈(4)和第二线圈(5);所述R1的一端和第一线圈(4)的一端共节点,且R1的另一端接偏置电压Vbias,第一线圈(4)的另一端接NM1的栅极;所述C1的一端、NM1的源极和第二线圈(5)的一端共节点,且C1的另一端接输入电压Vin,第二线圈(5)的另一端接地,NM1的漏级接输出电路(2);所述NM1的衬底接衬底偏置电压Vbs。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胡建全,未经胡建全许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811069459.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top