[发明专利]ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法

摘要

本发明涉及一种ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法，其包括如下步骤：S1、靶坯表面金属化；S2、背板表面金属化；S3、绑定铟层的处理；S4、靶材绑定；S5、降温。本方法利用铟来绑定ITO的靶坯和背板，所得到的ITO靶材或其他陶瓷靶材的冷却及电接触性能良好、导热性能良好，其焊合率大于98%，高于现有技术，且在实际应用中，所制备得到的ITO靶材或其他陶瓷靶材在溅射中未出现溅射不均匀和靶材开裂问题。

主权项

1.一种ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法，其特征在于：其包括如下步骤：S1、靶坯表面金属化：将靶坯置于靶坯加热平台上，将靶坯以2～3℃/min的升温速率升温至80～100℃，保温20～30min，再以1～2℃/min的升温速率升温至170～190℃，保温90～120 min，然后将熔化后的铟倒入靶坯表面，将铟刮平覆盖整个靶坯表面，开启超声涂铟机，涂铟探头接触靶坯表面，按从外到里连续性的涂刷靶坯表面多次；S2、背板表面金属化：将背板置于背板加热平台上，将背板以5～8℃/min的升温速率升温至80～100℃，保温20～30min，再以3～5℃/min的升温速率升温至200～220℃，保温60～90 min，然后将熔化后的铟倒入背板表面，将铟刮平覆盖整个背板表面，再开启超声涂铟机，涂铟探头接触背板表面，按从外到里连续性的涂刷背板表面多次；S3、绑定铟层的处理：背板表面金属化后，以3～5℃/min，降温至170～190℃，将熔化后的铟倒入背板表面，将铟刮平覆盖整个背板表面，并将表面铟氧化层刮掉，在铟中均匀放置若干根直径为0.1～0.5mm的铜丝；S4、靶材绑定：将靶坯金属化的一面盖向背板进行挤压，然后在靶坯表面均匀放置压重物，定位固定；S5、降温：将靶坯和背板按1～2℃/min的降温速率降温至室温，即得到绑定好的ITO靶材。