[发明专利]ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法在审

申请号：	201811068915.0	申请日：	2018-09-13
公开（公告）号：	CN109136868A	公开（公告）日：	2019-01-04
发明（设计）人：	余芳;朱刘;童培云	申请（专利权）人：	先导薄膜材料（广东）有限公司
主分类号：	C23C14/34	分类号：	C23C14/34;C23C14/08
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	511517 广东省清远市高新区***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	绑定陶瓷靶材靶材溅射表面金属化电接触性能背板表面导热性能金属化背板焊合制备铟层冷却应用
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【权利要求书】：

1.一种ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法，其特征在于：其包括如下步骤：

S1、靶坯表面金属化：将靶坯置于靶坯加热平台上，将靶坯以2～3℃/min的升温速率升温至80～100℃，保温20～30min，再以1～2℃/min的升温速率升温至170～190℃，保温90～120 min，然后将熔化后的铟倒入靶坯表面，将铟刮平覆盖整个靶坯表面，开启超声涂铟机，涂铟探头接触靶坯表面，按从外到里连续性的涂刷靶坯表面多次；

S2、背板表面金属化：将背板置于背板加热平台上，将背板以5～8℃/min的升温速率升温至80～100℃，保温20～30min，再以3～5℃/min的升温速率升温至200～220℃，保温60～90 min，然后将熔化后的铟倒入背板表面，将铟刮平覆盖整个背板表面，再开启超声涂铟机，涂铟探头接触背板表面，按从外到里连续性的涂刷背板表面多次；

S3、绑定铟层的处理：背板表面金属化后，以3～5℃/min，降温至170～190℃，将熔化后的铟倒入背板表面，将铟刮平覆盖整个背板表面，并将表面铟氧化层刮掉，在铟中均匀放置若干根直径为0.1～0.5mm的铜丝；

S4、靶材绑定：将靶坯金属化的一面盖向背板进行挤压，然后在靶坯表面均匀放置压重物，定位固定；

S5、降温：将靶坯和背板按1～2℃/min的降温速率降温至室温，即得到绑定好的ITO靶材。

2.根据权利要求1 所述的ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法，其特征在于：该ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法还包括S6、检测：将绑定好的靶材，利用C-Scan检测焊合率。

3.根据权利要求1 所述的ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法，其特征在于：涂铟探头涂刷背板的次数为2～4次。

4.根据权利要求1 所述的ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法，其特征在于：涂铟探头涂刷靶坯的次数为2～4次。

5.根据权利要求1 所述的ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法，其特征在于：S3中，铜丝的数量为2-4根。

6.根据权利要求1 所述的ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法，其特征在于：靶坯为圆形或方形，靶坯的平面度小于0.1 mm。

7.根据权利要求1 所述的ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法，其特征在于：所述背板的氧含量小于200ppm，平面度小于0.1mm。

8.根据权利要求1 所述的ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法，其特征在于：S4中，重物所形成的压强为0.05～0.08kg/cm²（靶坯表面积）。

9.根据权利要求1 所述的ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法，其特征在于：背板加热平台控温精度为±5℃。

10.根据权利要求1 所述的ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法，其特征在于：靶坯加热平台控温精度为±3℃。