[发明专利]电子设备及其制造方法在审
| 申请号： | 201811060921.1 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109962034A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李泂奭 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本申请涉及一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法及由此制造的电子设备。在一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法中，所述方法包括：形成层叠结构，每个层叠结构包括存储图案；形成间隙填充层，所述间隙填充层填充层叠结构之间的空间；以及通过将惰性气体注入间隙填充层来形成分布在间隙填充层中的纳米孔。 | ||
| 搜索关键词： | 间隙填充层 电子设备 层叠结构 半导体存储器 制造 存储图案 惰性气体 纳米孔 填充 申请 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法，所述方法包括：形成层叠结构，所述层叠结构中的每一个包括存储图案；形成间隙填充层，所述间隙填充层填充所述层叠结构之间的空间；以及通过将惰性气体注入所述间隙填充层中来形成分布在所述间隙填充层中的纳米孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
