[发明专利]电子设备及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法，所述方法包括：

形成层叠结构，所述层叠结构中的每一个包括存储图案；

形成间隙填充层，所述间隙填充层填充所述层叠结构之间的空间；以及

通过将惰性气体注入所述间隙填充层中来形成分布在所述间隙填充层中的纳米孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述惰性气体被离子注入所述间隙填充层的一部分中，所述间隙填充层的所述部分位于与所述存储图案位于所述层叠结构中的位置相对应的水平处。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述惰性气体正在被注入时执行热处理工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述惰性气体被注入之后执行热处理工艺。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述惰性气体包括氢气、氦气、氩气、氙气、氮气及其组合中的任何一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述层叠结构中的每一个还包括设置在所述存储图案上的电极，并且所述惰性气体被注入所述间隙填充层和所述电极中。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隙填充层具有高度水平不同的顶表面，所述顶表面位于相邻的层叠结构之间和所述层叠结构之上。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述间隙填充层的所述顶表面在相邻的层叠结构之间具有相对低的水平、而在所述层叠结构之上具有相对高的水平，并且所述惰性气体的注入范围基于所述间隙填充层的相对低的水平的顶表面来确定。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述纳米孔被形成之后平坦化所述间隙填充层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述层叠结构中的每一个还包括设置在所述存储图案上的电极，并且当所述惰性气体被注入所述电极中时，纳米孔形成在所述电极的上部中。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：执行平坦化工艺，直到设置在所述电极的上部中的所述纳米孔被去除为止。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述间隙填充层被形成之前，在所述层叠结构的顶表面和侧壁上形成保护层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述惰性气体被注入所述保护层中，并且纳米孔形成在所述保护层中。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述惰性气体以1E15/cm²至1E17/cm²的浓度被离子注入。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，用于注入所述惰性气体的离子束具有1KeV至100KeV的能量。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储图案包括可变电阻材料。

17.一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法，所述方法包括：

形成层叠结构，所述层叠结构中的每一个包括可变电阻元件；

形成间隙填充层，所述间隙填充层填充所述层叠结构之间的空间；以及

在所述间隙填充层中形成分布在所述间隙填充层的一部分中的纳米孔，所述间隙填充层的所述部分位于与所述可变电阻元件位于所述层叠结构中的位置相对应的水平处。