[发明专利]一种控制反铁磁层及钉扎层磁畴结构在磁性隧道结中实现多态数据存储的方法有效
| 申请号： | 201811060648.2 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109243512B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 颜世申;田玉峰;陈延学;钟海;柏利慧;康仕寿 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种控制反铁磁层及钉扎层磁畴结构在磁性隧道结中实现多态数据存储的方法，包括：(1)在较高温度条件下，零磁场或者对磁性隧道结施加与诱导场同方向的饱和磁场；(2)退火1h；(3)在稍低温度下继续退火，对磁性隧道施加与诱导场反方向的磁场；(4)通过逐渐增加退火磁场的方式，将反铁磁层及与反铁磁层耦合的钉扎层写入到不同的磁状态；(5)读出不同的磁状态。本发明具有热稳定性高、对外界磁场不敏感、存储密度高的优点，预期在低功耗磁电子存储器件方面有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 反铁磁层 钉扎层磁畴 结构 磁性 隧道 实现 数据 存储 方法 | ||
【主权项】：
1.一种控制反铁磁层及钉扎层磁畴结构在磁性隧道结中实现多态数据存储的方法，所述磁性隧道结包括反铁磁层、钉扎层、绝缘层、自由层，所述反铁磁层、所述钉扎层、所述绝缘层、所述自由层由下自上依次生长，其特征在于，包括步骤如下：(1)制备磁性隧道结，磁性隧道结制备过程中施加诱导磁场，并设定该诱导磁场方向磁场正方向，制得磁性隧道结；(2)直接在400℃‑500℃的高温条件下退火0.5‑2h，或者，施加500‑30000奥斯特与诱导磁场同方向的退火磁场，在400℃‑500℃的高温条件下退火0.5‑2h；(3)在200℃‑440℃的低温条件下继续进行退火，同时施加0‑30000奥斯特与诱导磁场方向相反的退火磁场；包括：从小到大逐渐增大退火磁场的磁场强度，随着退火磁场的增大，反铁磁层中越来越多的磁矩沿着诱导磁场方向排列，反转到沿着退火磁场方向排列，退火磁场强度不同，反铁磁层中从诱导磁场方向反转的磁矩数目也不相同，所述钉扎层的磁矩也相应的发生反转，从而将反铁磁层及与反铁磁层耦合的钉扎层写入到不同的磁状态；(4)读出不同的磁状态。
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