[发明专利]一种CRS阻变存储器的混合可重配方法有效
| 申请号： | 201811059080.2 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109461811B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 童薇;冯丹;刘景宁;吴兵;汪承宁;张扬 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CRS阻变存储器的混合可重配方法，属于信息存储技术领域。本发明属于信息存储技术领域。本发明方法包括：使CRS阻变存储器的交叉点阵列中，每条字线只包含一个MEM单元，或每条位线只包含一个MEM单元；采用直接映射法存储MEM单元的模式标志位，构建单元模式记录表；CRS阻变存储器采用1TnR结构；动态切换储存单元的工作模式，保证最常被访问的单元处于MEM模式。本发明方法结合CRS单元的两种工作模式，互补对方的缺点，在对操作系统透明的情况下，以较小的开销下做到阵列单元可重配。从而达到抑制存储阵列潜行电流、提升可靠性和降低能耗的同时，尽可能减少CRS单元的恢复写操作，以此获得更低的延时和更长的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 crs 存储器 混合 配方 | ||
【主权项】：
1.一种CRS阻变存储器的混合可重配方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：使CRS阻变存储器的交叉点阵列中，每条字线只包含一个MEM单元，或每条位线只包含一个MEM单元；采用直接映射法存储MEM单元的模式标志位，构建单元模式记录表；CRS阻变存储器采用1TnR结构；动态切换储存单元的工作模式，保证最常被访问的单元处于MEM模式。
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