[发明专利]垂直场效应晶体管和包括其的半导体器件有效
| 申请号： | 201811054979.5 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109494253B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 刘庭均;金昶熹;朴星一;李东勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了垂直场效应晶体管(vFET)和包括其的半导体器件。该vFET包括在衬底的上部处并掺杂以第一杂质的第一杂质区。第一扩散控制图案形成在第一杂质区上。第一扩散控制图案配置为控制第一杂质的扩散。沟道在与衬底的上表面基本上正交的垂直方向上延伸。第二杂质区在沟道上并掺杂以第二杂质。第二扩散控制图案在沟道与第二杂质区之间。第二扩散控制图案配置为控制第二杂质的扩散。栅极结构与沟道相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 场效应 晶体管 包括 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种垂直场效应晶体管，包括：第一杂质区，在衬底的上部处并掺杂以第一杂质；第一扩散控制图案，在所述第一杂质区上，所述第一扩散控制图案配置为控制所述第一杂质的扩散；沟道，在所述第一扩散控制图案上沿垂直方向延伸，所述垂直方向与所述衬底的上表面基本上正交；第二杂质区，在所述沟道上并掺杂以第二杂质；第二扩散控制图案，在所述沟道与所述第二杂质区之间，所述第二扩散控制图案配置为控制所述第二杂质的扩散；以及栅极结构，与所述沟道相邻。
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