[发明专利]一种基于FDSOI的gg-NMOS器件有效
| 申请号： | 201811051919.8 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN109309128B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 王源;张立忠;张兴;何燕冬 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种基于FDSOI的gg‑NMOS器件，包括：沟道区、P型衬底、埋氧区及N阱注入区；埋氧区形成于P型衬底的上部，沟道区形成于埋氧区的上部；N阱注入区形成于P型衬底的上部且N阱注入区与埋氧区连接，N阱注入区与沟道区的耦合面积大于零。本发明实施例通过在P型衬底上形成N阱注入区，能够减小触发电压，从而满足FDSOI工艺下内部核心电路的ESD设计窗口，提供有效的ESD保护。并且，可以通过移动N阱注入区边界的位置来改变N阱注入区与沟道区的耦合面积，从而实现对触发电压的调节，从而满足不同的ESD防护需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 fdsoi gg nmos 器件 | ||
【主权项】：
1.一种基于FDSOI的gg‑NMOS器件，其特征在于，包括：沟道区、P型衬底、埋氧区及N阱注入区；所述埋氧区形成于所述P型衬底的上部，所述沟道区形成于所述埋氧区的上部；所述N阱注入区形成于所述P型衬底的上部且所述N阱注入区与所述埋氧区连接，所述N阱注入区与所述沟道区的耦合面积大于零。
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