[发明专利]一种融合SMT的MCM集成电路封装方法有效
申请号: | 201811050739.8 | 申请日: | 2018-09-10 |
公开(公告)号: | CN109273375B | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 王辉;全庆霄;姜岩峰;符爱风;王嫚 | 申请(专利权)人: | 无锡豪帮高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488;H01L21/67;H05K3/34 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 赵海波;曹键 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及的一种融合SMT的MCM集成电路封装方法,其特征在于采用一种融合SMT的MCM集成电路封装结构的生产流水线进行作业,在金属引线框架上通过锡膏焊接有源器件,金属引线框架上通过银胶粘贴芯片;一种融合SMT的MCM集成电路封装结构的生产流水线,它从前之后依次包括引线框架上料装置、钢网印刷装置、第一AOI自动光学检测装置、有源器件安装装置、回流焊装置、第二AOI自动光学检测装置、芯片安装装置、第一烘烤装置、键合装置、塑封装置、第二烘烤装置、打标装置、电镀装置、成型切筋装置、外观检测包装装置。本发明的一种融合SMT的MCM集成电路封装方法具有提高生产效率,降低生产成本,保证生产产品质量的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 融合 smt mcm 集成电路 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种融合SMT的MCM集成电路封装方法,其特征在于采用一种融合SMT的MCM集成电路封装结构的生产流水线进行作业,在金属引线框架上通过锡膏焊接有源器件,金属引线框架上通过银胶粘贴芯片;一种融合SMT的MCM集成电路封装结构的生产流水线从前至后依次包括引线框架上料装置(101)、钢网印刷装置(102)、第一AOI自动光学检测装置(103)、有源器件安装装置(104)、回流焊装置(105)、第二AOI自动光学检测装置(106)、芯片安装装置(107)、第一烘烤装置(108)、键合装置(109)、塑封装置(110)、第二烘烤装置(111)、打标装置(112)、电镀装置(113)、成型切筋装置(114)、外观检测包装装置(115);一种融合SMT的MCM集成电路封装方法的具体步骤如下:步骤一、引线框架上料装置(101)将引线框架上料;步骤二、钢网印刷装置(102)通过钢网在引线框架上进行印刷;步骤三、第一AOI自动光学检测装置(103)对钢网印刷后的金属引线框架进行检测;步骤四、有源器件安装装置(104)在金属引线框架上安装有源器件;步骤五、在回流焊装置(105)内将安装有缘器件的金属引线框架进行回流焊,在此过程中回流焊装置(105)内保持氮气保护,通过氮气保护的回流焊装置,使有源器件与金属框架紧密粘接;步骤六、第二AOI自动光学检测装置(106)对回流焊完成的金属引线框架进行检测;有不合格之处记录至数据库,该处不进行后续芯片安装作业;步骤七、芯片安装装置(107)将芯片在金属引线框架上进行安装,根据芯片的多少,芯片安装装置(107)可以设置有多组或者一组;步骤八、第一烘烤装置(108)将粘贴芯片的金属引线框架进行烘烤;步骤九、键合装置(109)对上述步骤完成的中间品进行键合作业;步骤十、塑封装置(110)对上述步骤完成的中间品进行塑封作业;步骤十一、第二烘烤装置(111)对上述步骤完成的中间品进行烘烤作业;步骤十二、打标装置(112)对上述步骤完成的中间品进行打标作业;步骤十三、电镀装置(113)对上述步骤完成的中间品进行电镀作业;步骤十四、成型切筋装置(114)对上述步骤完成的中间品进行成型切筋作业;步骤十五、外观检测包装装置(115)对上述步骤完成的中间品进行外观检测和包装作业。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡豪帮高科股份有限公司,未经无锡豪帮高科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811050739.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造