[发明专利]一种阴阳离子共掺杂无机钙钛矿薄膜及其制备方法与应用

摘要

本发明属于钙钛矿太阳电池领域，具体涉及一种阴阳离子共掺杂无机钙钛矿薄膜及其制备方法与应用。所述薄膜分子式为MX:CsPbI(3‑x)Brx，其中MX的掺杂浓度0.125～0.5％，所述无机钙钛矿型太阳电池从下至上依次包括：透明导电玻璃、空穴传输层、上述钙钛矿层、非有机电子传输层以及金属电极。本发明通过阴阳离子共掺杂所制备的无机钙钛矿薄膜不存在杂相，物相更纯，具有更优异的空气稳定性。本发明的太阳电池，具有更优异的光伏性能，不含有机层电子传输层的器件结构能够大大提升电池整体器件的热稳定性。

主权项

1.一种阴阳离子共掺杂无机钙钛矿薄膜，其特征在于，其分子式为MX:CsPbI(3‑x)Brx,其中0≤x≤3，M选自铟、铅、锑、铋和锡中的一种，X选自氯和碘中的一种，且MX的掺杂浓度为0.125～0.5％。