[发明专利]电平移位电路在审
| 申请号： | 201811029820.8 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109347473A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 卢月娟;袁俊;陈光胜 | 申请（专利权）人： | 上海东软载波微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K19/00;H03K19/01 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张凤伟;吴敏 |
| 地址： | 200235 上海市徐汇区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电平移位电路，包括：反相器及电平移位单元；所述电平移位单元包括：第一NMOS管，第二NMOS管，第一PMOS管，第二PMOS管及对抗隔离电路，其中：所述第一NMOS管的栅极与低压信号输出端耦接；所述低压信号输出端经所述反相器与所述第二NMOS管的栅极耦接；所述第一NMOS管的漏极作为第一输出端，所述第二NMOS管的漏极作为第二输出端；所述对抗隔离电路，耦接于所述电平移位电路的PMOS管及NMOS管之间，适于在所述电平移位电路进行电平转换的过程中，隔离所耦接的PMOS管及NMOS管之间的对抗。应用上述方案，可以有效缩短电平转换过程中PMOS管及NMOS管之间对抗的时间，减小电平转换过程中产生的贯通电流；从而，提高电平转换速度和降低功耗，满足高速、低压、低功耗的应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 电平移位电路 电平转换 输出端 耦接 对抗 电平移位单元 低压信号 隔离电路 反相器 漏极 贯通电流 降低功耗 应用需求 栅极耦接 低功耗 减小 隔离 应用 | ||
【主权项】：
1.一种电平移位电路，其特征在于，包括：反相器及电平移位单元；所述电平移位单元包括：第一NMOS管，第二NMOS管，第一PMOS管，第二PMOS管及对抗隔离电路，其中：所述第一PMOS管及第二PMOS管的源极与高压电源输出端耦接；所述第一NMOS管及第二NMOS管的源极与地线耦接；所述第一NMOS管的栅极与低压信号输出端耦接；所述低压信号输出端经所述反相器与所述第二NMOS管的栅极耦接；所述低压信号输出端所输出信号的电压小于所述高压电源输出端所输出信号的电压；所述第一NMOS管的漏极作为第一输出端，所述第二NMOS管的漏极作为第二输出端；所述对抗隔离电路，耦接于所述电平移位电路的PMOS管及NMOS管之间，适于在所述电平移位电路进行电平转换的过程中，隔离所耦接的PMOS管及NMOS管之间的对抗。
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