[发明专利]一种双极脉冲磁控溅射方法有效
申请号: | 201811025899.7 | 申请日: | 2018-09-04 |
公开(公告)号: | CN109136871B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 李刘合;谷佳宾;苗虎;徐晔 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08 |
代理公司: | 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11624 | 代理人: | 任漱晨 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种双极脉冲磁控溅射方法,包括:一、将试样置于真空室内的样品台上,连接相关磁控溅射镀膜设备;二、完成对真空室的抽真空;三、设置双极脉冲磁控溅射电源的参数;四、向真空室内通入工作气体,通过双极脉冲磁控溅射电源施加双极脉冲电压,进行溅射沉积,完成涂层制备。本发明的优点:本发明方法可在单一靶材上实现双极脉冲磁控溅射技术,在初始负脉冲结束后施加正脉冲,驱使负脉冲产生的离子飞离靶表面附近区域,提高离子产出效率,并能够消除靶表面的电荷积累,抑制靶的打火。 | ||
搜索关键词: | 一种 脉冲 磁控溅射 方法 | ||
【主权项】:
1.一种双极脉冲磁控溅射方法,其特征在于双极脉冲磁控溅射方法,包括以下步骤:步骤一:将清洗干净的试样置于真空室内的样品台上,将双极脉冲磁控溅射电源阴极连接磁控靶,阳极接地;步骤二:将真空腔室密封,并对真空室抽真空,待真空室的本底真空低于10‑2Pa,完成对真空室的抽真空;步骤三:设置双极磁控溅射电源的负脉冲的脉宽、频率以及电压,设置双极磁控溅射电源的正脉冲的脉宽、频率以及电压,设置双极磁控溅射电源的正负脉冲的频率相同而正负脉冲的脉宽可以相同也可不同,设置双极磁控溅射电源的正脉冲在负脉冲结束后产生,并设置正负脉冲的时间间隔;步骤四:向真空室内通入工作气体,设置溅射的工作气压,开启双极脉冲磁控溅射电源施加双极脉冲电压,进行溅射沉积,完成涂层制备。
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