[发明专利]抛光垫修整器及化学机械平坦化的方法在审
| 申请号： | 201811025287.8 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110871407A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 宋健民 | 申请（专利权）人： | 宋健民 |
| 主分类号： | B24B53/12 | 分类号： | B24B53/12;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;沈敬亭 |
| 地址： | 中国台湾新北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抛光垫修整器及化学机械平坦化的方法。所有CMP抛光垫修整器都以钻石为切刃，然而钻石切刃离最突出顶点的高度差大于60微米，以致切削抛光垫的工作颗粒数不到500。虽然有以钻石膜披覆雕刻陶瓷(如SiC)制造的修整器，但钻石膜易剥落造成品圆的刮伤。本发明以非钻石的超硬材料PcBN为研磨材料，直接雕刻出定制化的独立小片，再组装成CMP抛光垫修整器。PcBN的抗腐蚀性远高于钻石，而且它在超高压烧结而成。本发明可独立定制切刃大小、形状及高度，所以可以控制切刃数目及抛光垫切削深度，因此可延长CMP耗材寿命，除了降低成本(CoO)外，也能加快CMP效率及增加产能，是目前半导体产品生产的利器。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 修整 化学 机械 平坦 方法 | ||
【主权项】：
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