[发明专利]用于MRAM装置的磁屏蔽封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201811023657.4 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109559998B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 高山;郑富阳 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于MRAM装置的磁屏蔽封装结构及其制造方法，提供将MRAM结构的所有六面磁屏蔽于薄打线或薄覆晶接合封装中的方法及所产生的装置。具体实施例包括：形成嵌在一PCB衬底的上半部、下半部之间的一第一金属层，该第一金属层有侧向分离的一对金属填充通孔；将一半导体晶粒贴合至该PCB衬底在该对金属填充通孔之间的该上半部；通过该对金属填充通孔使该半导体晶粒电气连接至该PCB衬底；将该PCB衬底的该上半部在该对金属填充通孔外的一部分向下移除到该第一金属层；以及形成一第二金属层于该半导体晶粒的相对四侧上面及上，该第二金属层座落于该第一金属层上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mram 装置 屏蔽 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包含：形成嵌在一印刷电路板(PCB)衬底的上半部、下半部之间的一第一金属层，该第一金属层有侧向分离的一对金属填充通孔；将一半导体晶粒贴合至该PCB衬底在该对金属填充通孔之间的该上半部；通过该对金属填充通孔使该半导体晶粒电气连接至该PCB衬底；将该PCB衬底的该上半部在该对金属填充通孔外的一部分移除向下到该第一金属层；以及形成一第二金属层于该半导体晶粒的相对四侧上面及上，该第二金属层座落于该第一金属层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
