[发明专利]蚀刻方法

摘要

本发明提供一种蚀刻方法，能够保护对含硅膜的蚀刻的耐性优异的掩模。一个实施方式的蚀刻方法在腔室主体内配置被加工物的状态下执行。蚀刻方法包括：在被加工物上形成钨膜的步骤；和对被加工物的含硅膜进行蚀刻的步骤。形成钨膜的步骤包括：向被加工物供给含钨的前体气体的步骤；和为了向被加工物上的前体供给氢的活性种，而生成氢气的等离子体的步骤。在对含硅膜进行蚀刻的步骤中，在腔室主体内生成含氟、氢和碳的处理气体的等离子体。

主权项

1.一种含硅膜的蚀刻方法，其特征在于：所述含硅膜具有单一的氧化硅膜或者交替层叠的多个氧化硅膜和多个氮化硅膜，所述蚀刻方法在具有所述含硅膜的被加工物配置在等离子体处理装置的腔室主体内的状态下执行，所述被加工物还具有设置在所述含硅膜上的掩模，所述掩模含有碳，在所述掩模形成有开口，所述蚀刻方法包括：在所述被加工物上形成钨膜的步骤；和对所述含硅膜进行蚀刻的步骤，所述形成钨膜的步骤包括：为了使含钨的前体沉积在所述被加工物上，而向所述被加工物供给含钨的前体气体的步骤；和为了向所述被加工物上的所述前体供给氢的活性种，而生成氢气的等离子体的步骤，在所述对所述含硅膜进行蚀刻的步骤中，为了对所述含硅膜进行蚀刻而在所述腔室主体内生成含氟、氢和碳的处理气体的等离子体。