[发明专利]一种高效铜钼蚀刻液及蚀刻方法在审
| 申请号： | 201811013298.4 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109136931A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 赵芬利 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/44 | 分类号： | C23F1/44;C23F1/18;C23F1/26 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高效铜钼蚀刻液，包括：所述蚀刻液的主要成分包括占蚀刻液总质量百分比为7～15％的过氧化氢、占蚀刻液总质量百分比为2～7％的调节剂、占蚀刻液总质量百分比为1～3％的稳定剂、占蚀刻液总质量百分比为3～10％的有机酸、占蚀刻液总质量百分比为0.001～1％的抑制剂以及占蚀刻液总质量百分比为1～10％的pH调节剂，余量为去离子水；本发明还提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻方法。有益效果：本发明所提供的高效铜钼蚀刻液及蚀刻方法，将含有过氧化氢的蚀刻液在蚀刻前通过微波辐射保持特定温度不变，增强了对铜钼金属膜层的氧化能力，进一步加快了蚀刻反应速率，更进一步提升了蚀刻品质。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻液 蚀刻 质量百分比 铜钼 金属膜层 过氧化氢的 过氧化氢 去离子水 微波辐射 氧化能力 调节剂 稳定剂 抑制剂 有机酸 | ||
【主权项】：
1.一种高效铜钼蚀刻液，其特征在于，包括：所述蚀刻液的主要成分包括占所述蚀刻液总质量百分比为7～15％的过氧化氢、占所述蚀刻液总质量百分比为2～7％的调节剂、占所述蚀刻液总质量百分比为1～3％的稳定剂、占所述蚀刻液总质量百分比为3～10％的有机酸、占所述蚀刻液总质量百分比为0.001～1％的抑制剂以及占所述蚀刻液总质量百分比为1～10％的pH调节剂，余量为去离子水。
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