[发明专利]一种多晶层光刻工艺热点查找方法有效
| 申请号： | 201811012246.5 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109345509B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 朱忠华;魏芳 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06T7/00 | 分类号： | G06T7/00;G06T7/30 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多晶层光刻工艺热点查找方法，其特征在于，包括了一种多晶层光刻工艺热点查找方法，适用于集成电路制造领域，提供一集成电路设计的版图，定义一孤立栅图形；还包括以下步骤：步骤S1，对所述版图中进行所述孤立栅图形匹配；步骤S2，根据匹配结果找出所有所述版图中的热点；步骤S3，根据所述热点的线宽尺寸判断所述热点的风险等级，若所述线宽尺寸小于一第一阈值，则判定所述热点为第一风险等级，若所述线宽尺寸大于所述第一阈值，则判定所述热点为第二风险等级。本发明的技术方案有益效果在于：在流片前，查找出原有产品中由于栅结构比较孤立而导致倒胶的热点及采取对应的措施，节约新产品流片的时间，同时增加新产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 光刻 工艺 热点 查找 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶层光刻工艺热点查找方法，适用于集成电路制造领域，提供一集成电路设计的版图，其特征在于，定义一孤立栅图形；还包括以下步骤：步骤S1，对所述版图中进行所述孤立栅图形匹配；步骤S2，根据匹配结果找出所有所述版图中的热点；步骤S3，根据所述热点的线宽尺寸判断所述热点的风险等级，若所述线宽尺寸小于一第一阈值，则判定所述热点为第一风险等级，若所述线宽尺寸大于所述第一阈值，则判定所述热点为第二风险等级。
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