[发明专利]一种降低黑硅电池组件封装功率损失的方法有效
| 申请号： | 201811010003.8 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109411556B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 赵增超;赵保星;谢湘州;黄嘉斌 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H02S50/15 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;廖元宝 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低黑硅电池组件封装功率损失的方法，在同一效率或总电流分档的电池片中，测量各电池片的短波电流或长波电流，将短波电流或长波电流在同一预设范围内的电池片进行统一封装。本发明的方法具有降低黑硅电池组件封装功率损失且操作简便等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 电池 组件 封装 功率 损失 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低黑硅电池组件封装功率损失的方法，其特征在于，在同一效率或总电流分档的电池片中，测量各电池片的短波电流或长波电流，将短波电流或长波电流在同一预设范围内的电池片进行统一封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
