[发明专利]具有硅薄膜晶体管和半导体氧化物薄膜晶体管的显示器在审
| 申请号： | 201811006600.3 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN108803181A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 张世昌;洪铭钦;余承和;常鼎国;A·嘉姆史迪罗德巴里;林上智;金景旭;黄俊尧;李思贤;陈右铮;大泽裕史;朴英培;V·古普塔;林敬伟;崔宰源;蔡宗廷 | 申请（专利权）人： | 苹果公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 涉及具有硅薄膜晶体管和半导体氧化物薄膜晶体管的显示器。涉及可包括具有位于基板上的显示器像素阵列的显示器的电子设备。显示器像素可以是有机发光二极管显示器像素或液晶显示器中的显示器像素。在有机发光二极管显示器中，可形成包括半导体氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管和电容器结构的混合薄膜晶体管结构。电容器结构可与半导体氧化物薄膜晶体管重叠。有机发光二极管显示器像素可具有氧化物和硅晶体管的组合。在液晶显示器中，显示驱动器电路可包括硅薄膜晶体管电路，并且显示器像素可基于氧化物薄膜晶体管。在形成硅晶体管栅极和氧化物晶体管栅极的过程中可使用单个栅极金属层或两个不同的栅极金属层。硅晶体管可具有与浮栅结构重叠的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体氧化物 硅薄膜晶体管 薄膜晶体管 显示器像素 有机发光二极管显示器 硅晶体管 显示器 电容器结构 液晶显示器 栅极金属层 像素 电路 氧化物薄膜晶体管 氧化物晶体管 晶体管结构 显示驱动器 电子设备 浮栅结构 混合薄膜 氧化物 基板 | ||
【主权项】：
1.一种显示器像素，包括：第一电源端子；第二电源端子；耦接在所述第一电源端子和所述第二电源端子之间的发光二极管；耦接在所述第一电源端子和所述发光二极管之间的驱动晶体管，其中所述驱动晶体管为氧化物晶体管；被耦接到所述驱动晶体管的栅极的第一开关晶体管，其中所述第一开关晶体管为氧化物晶体管；耦接在第一节点和第二节点之间的电容器，所述第一节点被插置在所述第一开关晶体管和所述驱动晶体管之间，所述第二节点被插置在所述驱动晶体管和所述发光二极管之间；以及耦接到所述第二节点的第二开关晶体管，其中所述第二开关晶体管为硅晶体管。
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