[发明专利]蚀刻液循环系统及蚀刻装置有效

专利信息
申请号: 201811005589.9 申请日: 2018-08-30
公开(公告)号: CN109023375B 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 谭芳 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: C23F1/46 分类号: C23F1/46
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种蚀刻液循环系统,包括储液槽,与储液槽连通的缓冲槽,与缓冲槽连通的过滤器,与过滤器连通的吸附槽,与吸附槽连通的第一新液槽以及与第一新液槽连通的供应槽,供应槽与储液槽连通;储液槽内的蚀刻液在铜离子浓度大于第一预设铜离子浓度,且小于第二预设铜离子浓度时,通过缓冲槽缓冲、过滤器过滤以及吸附槽吸附除铜离子后进入第一新液槽,在第一新液槽内调pH以及调过氧化氢浓度后进入供应槽,在供应槽内调过氧化氢浓度后直至供应槽内的蚀刻液的过氧化氢浓度达到预设过氧化氢浓度后进入储液槽。本发明解决了因过氧化氢不断被消耗,蚀刻液的使用寿命缩短的技术问题。
搜索关键词: 蚀刻 循环系统 装置
【主权项】:
1.一种蚀刻液循环系统,其特征在于,包括储液槽,与所述储液槽连通的缓冲槽,与所述缓冲槽连通的过滤器,与所述过滤器连通的吸附槽,与所述吸附槽连通的第一新液槽以及与所述第一新液槽连通的供应槽,所述供应槽与所述储液槽连通;所述储液槽内的蚀刻液在铜离子浓度大于第一预设铜离子浓度,且小于第二预设铜离子浓度时,通过所述缓冲槽缓冲、所述过滤器过滤以及所述吸附槽吸附除铜离子后进入所述第一新液槽,在所述第一新液槽内调pH以及调过氧化氢浓度后进入所述供应槽,在所述供应槽内调过氧化氢浓度后直至所述供应槽内的所述蚀刻液的过氧化氢浓度达到预设过氧化氢浓度后进入所述储液槽。
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