[发明专利]蚀刻液循环系统及蚀刻装置

说明书

本发明提供一种蚀刻液循环系统，包括储液槽，与储液槽连通的缓冲槽，与缓冲槽连通的过滤器，与过滤器连通的吸附槽，与吸附槽连通的第一新液槽以及与第一新液槽连通的供应槽，供应槽与储液槽连通；储液槽内的蚀刻液在铜离子浓度大于第一预设铜离子浓度，且小于第二预设铜离子浓度时，通过缓冲槽缓冲、过滤器过滤以及吸附槽吸附除铜离子后进入第一新液槽，在第一新液槽内调pH以及调过氧化氢浓度后进入供应槽，在供应槽内调过氧化氢浓度后直至供应槽内的蚀刻液的过氧化氢浓度达到预设过氧化氢浓度后进入储液槽。本发明解决了因过氧化氢不断被消耗，蚀刻液的使用寿命缩短的技术问题。

技术领域

本发明涉及蚀刻技术领域，特别涉及一种蚀刻液循环系统及蚀刻装置。

背景技术

薄膜晶体管-液晶显示器（TFT-LCD）铜制程使用的过氧化氢系铜酸蚀刻液在蚀刻过程中，随着过氧化氢和铜反应的不断进行，反应产物铜离子逐渐增多，因铜离子会促进过氧化氢的分解，使得过氧化氢不断被消耗，蚀刻液的使用寿命缩短，导致铜酸蚀刻液的成本高昂。

发明内容

本发明的目的在于提供一种蚀刻液循环系统及蚀刻装置，以解决因过氧化氢不断被消耗，蚀刻液的使用寿命缩短的技术问题。

本发明提供一种蚀刻液循环系统，包括储液槽，与所述储液槽连通的缓冲槽，与所述缓冲槽连通的过滤器，与所述过滤器连通的吸附槽，与所述吸附槽连通的第一新液槽以及与所述第一新液槽连通的供应槽，所述供应槽与所述储液槽连通；所述储液槽内的蚀刻液在铜离子浓度大于第一预设铜离子浓度，且小于第二预设铜离子浓度时，通过所述缓冲槽缓冲、所述过滤器过滤以及所述吸附槽吸附除铜离子后进入所述第一新液槽，在所述第一新液槽内调pH以及调过氧化氢浓度后进入所述供应槽，在所述供应槽内调过氧化氢浓度后直至所述供应槽内的所述蚀刻液的过氧化氢浓度达到预设过氧化氢浓度后进入所述储液槽。

其中，所述蚀刻液循环系统还包括第二新液槽，所述第二新液槽与所述储液槽连通，所述第二新液槽用于为所述储液槽提供新蚀刻液。

其中，所述储液槽上连接有铜离子浓度监控器，所述铜离子浓度监控器用于监测所述储液槽内的所述蚀刻液的铜离子浓度大于所述第一预设铜离子浓度，且小于所述第二预设铜离子浓度时，控制所述储液槽内的所述蚀刻液进入所述缓冲槽；所述铜离子浓度监控器还用于监测所述储液槽内的所述蚀刻液的铜离子浓度大于所述第二预设铜离子浓度时，控制所述第二新液槽内的所述新蚀刻液进入所述储液槽。

其中，所述第一新液槽上连接有pH检测计，所述pH检测计用于检测所述第一新液槽内的所述蚀刻液的pH值。

其中，所述第一新液槽上还连接有第一过氧化氢浓度计，所述第一过氧化氢浓度计用于检测所述第一新液槽内的所述蚀刻液的过氧化氢浓度值。

其中，所述供应槽上连接有第二过氧化氢浓度计，所述第二过氧化氢浓度计用于检测所述供应槽内的所述蚀刻液的过氧化氢浓度值。

其中，所述吸附槽内的吸附材料为吸附树脂，所述吸附树脂用于吸附铜离子以除去所述蚀刻液中的铜离子。

其中，所述供应槽与所述储液槽之间连接有第一抽运泵，所述第一抽运泵用于将所述供应槽内的所述蚀刻液抽运到所述储液槽。

其中，所述第二新液槽与所述储液槽之间连接有第二抽运泵，所述第二抽运泵用于将所述第二新液槽内的所述新蚀刻液抽运到所述储液槽。

本发明提供一种蚀刻装置，用于对基板的刻蚀，包括上述的蚀刻液循环系统。