[发明专利]蚀刻液循环系统及蚀刻装置有效

专利信息
申请号: 201811005589.9 申请日: 2018-08-30
公开(公告)号: CN109023375B 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 谭芳 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: C23F1/46 分类号: C23F1/46
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 蚀刻 循环系统 装置
【权利要求书】:

1.一种蚀刻液循环系统,其特征在于,包括储液槽,与所述储液槽连通的缓冲槽,与所述缓冲槽连通的过滤器,与所述过滤器连通的吸附槽,与所述吸附槽连通的第一新液槽以及与所述第一新液槽连通的供应槽,所述供应槽与所述储液槽连通;所述储液槽内的蚀刻液在铜离子浓度大于第一预设铜离子浓度,且小于第二预设铜离子浓度时,通过所述缓冲槽缓冲、所述过滤器过滤以及所述吸附槽吸附除铜离子后进入所述第一新液槽,在所述第一新液槽内调pH以及调过氧化氢浓度后进入所述供应槽,在所述供应槽内调过氧化氢浓度后直至所述供应槽内的所述蚀刻液的过氧化氢浓度达到预设过氧化氢浓度后进入所述储液槽;

所述蚀刻液循环系统还包括第二新液槽,所述第二新液槽与所述储液槽连通,所述第二新液槽用于为所述储液槽提供新蚀刻液;

所述第一新液槽与所述供应槽上均连接有过氧化氢槽,所述过氧化氢槽用于向第一新液槽与所述供应槽补给过氧化氢;

所述储液槽上连接有铜离子浓度监控器,所述铜离子浓度监控器用于监测所述储液槽内的所述蚀刻液的铜离子浓度大于所述第一预设铜离子浓度,且小于所述第二预设铜离子浓度时,控制所述储液槽内的所述蚀刻液进入所述缓冲槽;所述铜离子浓度监控器还用于监测所述储液槽内的所述蚀刻液的铜离子浓度大于所述第二预设铜离子浓度时,控制所述第二新液槽内的所述新蚀刻液进入所述储液槽;

当所述蚀刻液的铜离子浓度小于所述第一预设铜离子浓度时,所述蚀刻液可直接进行蚀刻;所述第二预设铜离子浓度为所述蚀刻液的铜离子浓度通过所述蚀刻液循环系统无法除去的铜离子浓度,当所述蚀刻液的铜离子浓度大于所述第二预设铜离子浓度时,所述蚀刻液通过所述蚀刻液循环系统循环无法进行蚀刻;当所述蚀刻液的铜离子浓度大于所述第一预设铜离子浓度,且小于所述第二预设铜离子浓度时,所述蚀刻液可通过所述蚀刻液循环系统进行循环,所述蚀刻液可重复使用。

2.根据权利要求1所述的蚀刻液循环系统,其特征在于,所述第一新液槽上连接有pH检测计,所述pH检测计用于检测所述第一新液槽内的所述蚀刻液的pH值。

3.根据权利要求1所述的蚀刻液循环系统,其特征在于,所述第一新液槽上还连接有第一过氧化氢浓度计,所述第一过氧化氢浓度计用于检测所述第一新液槽内的所述蚀刻液的过氧化氢浓度值。

4.根据权利要求1所述的蚀刻液循环系统,其特征在于,所述供应槽上连接有第二过氧化氢浓度计,所述第二过氧化氢浓度计用于检测所述供应槽内的所述蚀刻液的过氧化氢浓度值。

5.根据权利要求1所述的蚀刻液循环系统,其特征在于,所述吸附槽内的吸附材料为吸附树脂,所述吸附树脂用于吸附铜离子以除去所述蚀刻液中的铜离子。

6.根据权利要求1的所述的蚀刻液循环系统,其特征在于,所述供应槽与所述储液槽之间连接有第一抽运泵,所述第一抽运泵用于将所述供应槽内的所述蚀刻液抽运到所述储液槽。

7.根据权利要求1的所述的蚀刻液循环系统,所述第二新液槽与所述储液槽之间连接有第二抽运泵,所述第二抽运泵用于将所述第二新液槽内的所述新蚀刻液抽运到所述储液槽。

8.一种蚀刻装置,用于对基板的刻蚀,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的蚀刻液循环系统。

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