[发明专利]一种无需刻蚀的AMB直接成型方法有效
| 申请号： | 201811004442.8 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109360791B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 王斌;贺贤汉;孙泉;戴洪兴 | 申请（专利权）人： | 江苏富乐德半导体科技有限公司;上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 顾兰芳 |
| 地址： | 224200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工技术领域。一种无需刻蚀的AMB直接成型方法，包括如下步骤：步骤一，使用精雕机在铜片的图案周边雕刻出凹槽；步骤二，使用丝网印刷、涂覆或覆膜设备在铜片上需要键合的区域涂装钎焊材料；步骤三，将铜片与瓷片对位固定；步骤四，真空烧结；步骤五，使用雕刻机刻穿所述铜片上开设有凹槽处，实现开设有凹槽处的铜片上下贯穿；剥离表面铜片上未钎焊处的铜材。本发明用精雕工艺替代刻蚀工艺,无需刻蚀就可得到产品图形。简化生产流程，缩短生产时间；同时去除刻蚀工序后，减少了对环境的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无需 刻蚀 amb 直接 成型 方法 | ||
【主权项】：
1.一种无需刻蚀的AMB直接成型方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，使用精雕机在铜片的图案周边雕刻出凹槽；步骤二，使用丝网印刷、涂覆或覆膜设备在铜片上需要键合的区域涂装钎焊材料；步骤三，将铜片与瓷片对位固定；步骤四，真空烧结；步骤五，使用雕刻机刻穿所述铜片上开设有凹槽处，实现开设有凹槽处的铜片上下贯穿；剥离表面铜片上未钎焊处的铜材。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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