[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201811003574.9 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109192825B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 唐成双;李昱桦;张燕飞;刘春杨;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、应力释放层、电场调控层、多量子阱层和P型层，电场调控层为掺Mg的GaN/AlN/GaN的三明治结构。电场调控层中掺有Mg，可以产生空穴，以提前消耗掉部分电子，降低电子浓度，防止电子移动至多量子阱层后，由于浓度过高而溢流至P型层。同时还可以减轻多量子阱层的内建电场的强度，减少对空穴的阻挡作用，提高空穴的注入效率。且电场调控层中的AlN层可以抬高电子势垒，降低电子的迁移速率，减少电子溢流。最终，更多的电子和空穴可以在多量子阱层进行辐射复合发光，提高了LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴 电场调控 发光二极管外延 多量子阱层 衬底 溢流 半导体技术领域 三明治结构 应力释放层 电子势垒 电子移动 发光效率 复合发光 量子阱层 内建电场 依次层叠 注入效率 缓冲层 未掺杂 制造 抬高 迁移 阻挡 消耗 辐射 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、应力释放层、多量子阱层和P型层，所述多量子阱层为多周期的超晶格结构，每个所述超晶格结构均包括InGaN量子阱层和生长在所述InGaN量子阱层上的GaN量子垒层，所述应力释放层为多周期的超晶格结构，每个所述超晶格结构均包括GaN层和生长在所述GaN层上的InGaN层，其特征在于，/n所述发光二极管外延片还包括设置在所述应力释放层和所述多量子阱层之间的电场调控层，所述电场调控层为掺Mg的GaN/AlN/GaN的三明治结构。/n
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