[发明专利]一种电荷存储型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810996571.3 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109192771B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 张金平;赵倩;王康;刘竞秀;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/335;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种电荷存储型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过改进传统电荷存储型IGBT器件的电荷存储层，远离漂移区的电荷存储层所用半导体材料相比靠近漂移区的电荷存储层半导体材料的禁带宽度更大，使得不同禁带宽度的半导体材料在其接触界面形成同型异质结，从而形成阻碍漂移区内的少数载流子进入基区的势垒，由此改善了漂移区载流子分布浓度，增强IGBT的电导调制效应，从而降低器件正向导通压降Vceon，优化IGBT击穿电压、正向导通压降Vceon与关断损耗Eoff之间的折中特性；并且本发明通过调整电荷存储层中不同禁带宽度材料的掺杂浓度以及不同禁带宽度材料的组合，能够进一步优化器件工作特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电荷 存储 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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