[发明专利]双栅结构黑磷场效应管在审
| 申请号： | 201810994244.4 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109326651A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 沈志豪;赵剑飞;江斌;王伟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210046 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双栅结构黑磷场效应管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、二氧化硅隔离层、硅材料衬底、源极、漏极和第一栅极，所述的导电沟道、源区和漏区为黑磷材料，栅极氧化层在所述导电沟道、源区和漏区上方，第一栅极设置在导电沟道上方栅极氧化层的外表面，在漏区上方栅极氧化层的外表面上设置第二栅极。本发明能够在降低闭态电流，消除短沟道效应的同时，维持较大的导通电流，在未来纳米电子应用领域有着广阔的前景。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极氧化层 导电沟道 漏区 黑磷 源区 场效应管 双栅结构 二氧化硅隔离层 短沟道效应 导通电流 纳米电子 硅材料 闭态 衬底 漏极 源极 | ||
【主权项】：
1.一种双栅结构黑磷场效应管，包括导电沟道(1)、源区(2)、漏区(3)、栅极氧化层(4)、二氧化硅隔离层(5)、硅材料衬底(6)、源极(7)、漏极(8)和第一栅极(9)；其特征在于：所述的导电沟道(1)、源区(2)和漏区(3)为黑磷材料，在漏区(3)上方栅极氧化层(4)的外表面上设置第二栅极(10)。
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