[发明专利]一种大规模无定形硅颗粒的制备方法有效
| 申请号： | 201810991687.8 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109179422B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 黄青松;刘强;伍超众 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;C30B33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种大规模无定形硅颗粒的制备方法，所述无定形硅颗粒生长在单晶碳化硅表面，所述制备方法包括如下步骤：S100：对单晶碳化硅片进行加热处理；S200：当所述密封环境的温度升温至500℃‑2000℃后，进行保温处理；所述保温处理的时间为1s‑100 h；S300：保温结束后，进行降温处理；降至室温后即可得到生长在单晶碳化硅表面的大规模无定形硅颗粒。本发明生产设备简单，与现有的离子轰击法、激光辐射和激光打印技术相比，不需要离子束或者激光束设备，成本低廉。该制备方法可以同时适用于实验室研究和工厂大量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大规模 无定形 颗粒 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大规模无定形硅颗粒的制备方法，其特征在于，所述无定形硅颗粒生长在单晶碳化硅表面，所述制备方法包括如下步骤：S100：对单晶碳化硅片进行加热处理；所述加热处理在密封环境中进行，并且所述密封环境中充满混合气体；所述混合气体为氢气和氮气或氢气和惰性气体的混合物；所述加热处理的过程中维持所述密封环境的压力为1 kPa ‑ 2 atm；S200：当所述密封环境的温度升温至500 ℃ ‑ 2000 ℃后，进行保温处理；所述保温处理的时间为1 s ‑ 100 h；S300：保温结束后，进行降温处理；降至室温后即可得到生长在单晶碳化硅表面的大规模无定形硅颗粒。
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