[发明专利]具有孪晶结构的超低损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810991121.5 申请日: 2018-08-28
公开(公告)号: CN108911748B 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 唐斌;张星;李恩竹;钟朝位;张树人 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/622
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 敖欢;葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种具有孪晶结构的超低损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法,该陶瓷的化学通式为Li3+aMg2‑b/3X1‑2b/3YbO6,其中,X为Nb5+或Ta5+,Y为Ti4+、Sn4+或Zr4+,0.03≤a≤0.12,0.05≤b≤0.12,本发明经过第一次球磨混合、干燥、过筛,预烧,再经过第二次球磨混合,干燥,造粒,排胶,在空气中烧结制成;其制成品的晶相为有序正交相岩盐结构,本发明提供的微波介质陶瓷材料在少量取代形成孪晶结构后,微波介电性能出现了非常大的提升:其相对介电常数εr在9.8~17.6之间可调,Q×f值达到95000GHz~156000GHz,微波性能优异,谐振频率温度系数τf在‑33ppm/℃~‑5ppm/℃之间可调,制备工艺简单,并且性能稳定,满足现代微波器件的应用需求。
搜索关键词: 具有 结构 损耗 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种具有孪晶结构的超低损耗微波介质陶瓷材料,其特征在于:该陶瓷的组成通式为:Li3+aMg2‑b/3X1‑2b/3YbO6,其中,X为Nb5+或Ta5+,Y为Ti4+、或Sn4+或Zr4+,0.03≤a≤0.12,0.05≤b≤0.12。
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