[发明专利]制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中相对于硅-锗合金选择性去除硅的蚀刻溶液有效
| 申请号： | 201810983642.6 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN109423288B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 刘文达;李翊嘉;A·J·亚当齐克 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了一种适合于从微电子器件中相对于硅‑锗而选择性地去除硅的蚀刻组合物，其包含水；季铵氢氧化物和胺化合物中的至少一者；水混溶性溶剂；任选地表面活性剂和任选地腐蚀抑制剂；以及使用该蚀刻组合物进行选择性去除的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 过程 硅叠层中 相对于 合金 选择性 去除 蚀刻 溶液 | ||
【主权项】：
1.一种适合于从微电子器件中相对于硅‑锗而选择性地去除硅的蚀刻溶液，所述蚀刻溶液包含：水；季铵氢氧化物和胺化合物中的至少一者；水混溶性溶剂；任选地，表面活性剂；和任选地，腐蚀抑制剂。
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