[发明专利]坩埚及采用该坩埚的类单晶铸锭方法在审
| 申请号： | 201810983636.0 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN108977876A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 晏文勇;汪佩渊;欧子杨;李省平;白枭龙;邓清香;张涛;金浩 | 申请（专利权）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种坩埚及采用该坩埚的类单晶铸锭方法，所述坩埚包括坩埚本体，还包括设于所述坩埚本体内底部上的若干条状的隔离块，所有的所述隔离块纵横交错布置，以隔离出若干籽晶放置区域，所述隔离块的热导率低于所述坩埚本体底部的热导率，所述隔离块的宽度位于1mm至3mm之间。本发明中的坩埚及类单晶铸锭方法方法，由于类单晶籽晶块被隔离块隔离开，这样在长晶过程当中，类单晶籽晶块之间就不会产生挤压，同时单晶硅片能够很好的填补隔离块隔离出的籽晶间隙，整体实现无缝拼接，这样很好的避免籽晶缝隙形成多晶的同时又很好的消除了籽晶拼接处的挤压，从而降低接缝间缺陷，提升成型后的类单晶品质。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 隔离块 籽晶 单晶铸锭 单晶籽晶 坩埚本体 热导率 隔离 挤压 纵横交错布置 单晶硅片 放置区域 无缝拼接 整体实现 拼接处 单晶 多晶 接缝 成型 体内 填补 | ||
【主权项】：
1.一种坩埚，包括坩埚本体，其特征在于，还包括设于所述坩埚本体内底部上的若干条状的隔离块，所有的所述隔离块纵横交错布置，以隔离出若干籽晶放置区域，所述隔离块的热导率低于所述坩埚本体底部的热导率，所述隔离块的宽度位于1mm至3mm之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司，未经晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810983636.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
