[发明专利]一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料有效
| 申请号： | 201810975101.9 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109251747B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 宋志国;胡锐;李永进;张庆福;邱建备;杨正文;徐祖元;张相周;周大成;尹兆益;杨勇;韩缙 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/74 | 分类号： | C09K11/74 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料，属于光学防伪材料技术领域。本发明光学防伪材料的化学通式为Bi |
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| 搜索关键词： | 一种 eu 离子 掺杂 氧化 半导体 光学 防伪 材料 | ||
【主权项】：
1.一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料，其特征在于：其化学通式为Bi3‑xEuxO4M；其中x=0.001~0.3，M为元素F、Cl、Br的一种或多种。
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