[发明专利]一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料有效
| 申请号： | 201810975101.9 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109251747B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 宋志国;胡锐;李永进;张庆福;邱建备;杨正文;徐祖元;张相周;周大成;尹兆益;杨勇;韩缙 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/74 | 分类号： | C09K11/74 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 eu 离子 掺杂 氧化 半导体 光学 防伪 材料 | ||
1.一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料的制备方法，其特征在于，Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料的化学通式为Bi3-xEuxO4M；其中x=0.001~0.3，M为元素F、Cl、Br的一种或多种；
制备方法的具体步骤如下：
（1）按照Bi离子、Eu离子和卤素离子的摩尔比为(3-x):x:1的比例称料，其中x=0.001~0.3，分别将硝酸铋、Eu(NO3)3、卤盐溶解于水、有机溶剂或水与有机溶剂的混合液中配制成硝酸铋溶液、Eu(NO3)3溶液和卤盐溶液；将硝酸铋溶液、Eu(NO3)3溶液和卤盐溶液混合均匀得到混合溶液，再采用盐酸、氨水或氢氧化钠调节pH值至2~10，然后加入带有聚四氟乙烯内衬的水热釜中，其中水热釜的装填度为0.4~0.8，匀速升温至110~250℃，反应2~24h；
（2）将步骤（1）所得反应产物用去离子水、乙醇洗涤，烘干；然后将烘干产物置于温度为200~800℃条件下热处理0.5~4h即得化学式为Bi3-xEuxO4M的稀土Eu3+离子掺杂卤氧化铋半导体发光材料。
2.根据权利要求1所述Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）中其中有机溶剂为乙醇或乙二醇，硝酸铋溶液的摩尔浓度为0.4~0.8 mol/L，Eu(NO3)3溶液的摩尔浓度为0.4~0.8 mol/L，卤盐溶液的摩尔浓度为0.4~0.8 mol/L。
3.根据权利要求1所述Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）中卤盐为卤化钾、卤化钠或卤化铵。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学，未经昆明理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810975101.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
