[发明专利]一种高可靠性BZT无铅外延单晶储能薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201810974140.7 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109112484A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 马春蕊;刘明;孙梓雄 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C30B23/02;C30B29/22 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高可靠性BZT无铅外延单晶储能薄膜及其制备方法；该制备方法在高温、高氧压环境下，利用超高真空射频磁控溅射技术，通过等离子体对靶材轰击，使靶材粒子沉积在基片上，并实现外延生长，得到BZT外延薄膜。因射频磁控溅射技术的特点，本身薄膜的生长速度较慢，使得通过该方法制备出的薄膜晶粒尺寸均匀，薄膜表面平整，结晶度好，结合BaZr0.2Ti0.8O3陶瓷靶材优良的储能特性，使其该陶瓷靶材作为BT‑基储能材料的储能特性进一步增强。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 薄膜 射频磁控溅射 储能特性 高可靠性 陶瓷靶材 外延单晶 储能 无铅 等离子体 薄膜表面 薄膜晶粒 超高真空 储能材料 粒子沉积 外延薄膜 外延生长 结晶度 靶材 对靶 高氧 轰击 平整 生长 | ||
【主权项】：
1.一种高可靠性BZT无铅外延单晶储能薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)将BaZr0.2Ti0.8O3陶瓷靶材安装在磁控溅射系统的靶位上；(2)清洁基片后，将基片放入磁控溅射系统中的沉积腔中；(3)预处理基片：将磁控溅射系统抽真空至10‑5‑10‑4mbar，通入氧气和氩气混合气体，加热烘烤基片；(4)预溅射BZT陶瓷靶材；(5)溅射BZT陶瓷靶材，基片上进行外延薄膜生长；溅射时间为11‑13h，生成的薄膜厚度为85‑95nm；(6)退火处理步骤(5)生成的薄膜；制得高可靠性BZT无铅外延单晶储能薄膜。
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