[发明专利]一种抗latch-up的双向ESD防护器件在审

专利信息
申请号: 201810973152.8 申请日: 2018-08-24
公开(公告)号: CN109103185A 公开(公告)日: 2018-12-28
发明(设计)人: 乔明;肖家木;齐钊;梁龙飞;何林蓉;梁旦业;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/06
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 敖欢;葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种抗latch‑up的双向ESD防护器件,包括:P型衬底、N型区、第一P+接触区、第一N+接触区、第一P+隔离区、第一P型埋层;第二P+接触区、第二N+接触区、第二P+隔离区、第二P型埋层;第一N+接触区、第一P+接触区通过金属短接形成金属阳极;第二N+接触区、第二P+接触区通过金属短接形成金属阳极,本发明可以通过调整P+接触区下方的P型埋层浓度来调节维持电流,从而避免器件发生闩锁;P型埋层的存在能够改变电流分布,使器件IV曲线呈现出多次snapback的特性,提高器件在ESD脉冲电流下的鲁棒性。
搜索关键词: 接触区 双向ESD防护 金属阳极 隔离区 短接 金属 电流分布 维持电流 鲁棒性 衬底 闩锁
【主权项】:
1.一种抗latch‑up的双向ESD防护器件,其特征在于包括:P型衬底(00)、位于P型衬底上方的N型区(01);位于N型区(01)内部上方左侧的第一P+接触区(211)、位于N型区(01)内部上方左侧的第一N+接触区(111)、位于N型区(01)内部上方左侧的第一P+隔离区(221)、位于N型区(01)内部的第一P型埋层(231);其中,第一P+接触区(211)位于第一N+接触区(111)左侧,第一P+隔离区(221)位于第一N+接触区(111)右侧,第一P型埋层(231)位于第一N+接触区(111)、第一P+接触区(211)、第一P+隔离区(221)下方且与第一N+接触区(111)、第一P+接触区(211)、第一P+隔离区(221)相切;位于N型区(01)内部上方右侧的第二P+接触区(212)、位于N型区(01)内部上方右侧的第二N+接触区(112)、位于N型区(01)内部上方右侧的第二P+隔离区(222)、位于N型区(01)内部第二P型埋层(232);其中,第二P+接触区(212)位于第一N+接触区(112)右侧,第二P+隔离区(222)位于第一N+接触区(112)左侧,第二P型埋层(232)位于第二N+接触区(112)、第二P+接触区(212)、第二P+隔离区(222)下方且与第二N+接触区(112)、第二P+接触区(212)、第二P+隔离区(222)相切;第一N+接触区(111)与第一P+接触区(211)通过金属短接形成金属阳极(31);第二N+接触区(112)、第二P+接触区(212)通过金属短接形成金属阴极(32);N型区(01)为NWELL区或N型外延层。
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