[发明专利]一种耐疲劳性柔性电子器件的制备方法及产品有效
| 申请号： | 201810972570.5 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109231149B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 吴志刚;冷康敏;吴康 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于柔性电子器件技术领域，并具体公开了一种耐疲劳性柔性电子器件的制备方法及产品。所述方法包括S1：在辅助基底上刻画电极材料的形状结构，得到电极图案化薄膜结构；S2：在所述电极图案化薄膜结构的周围构建电极材料可活动通道；S3：在所述可活动通道内注入柔性材料，并将所述可活动通道的出入口包覆封装，得到耐疲劳性柔性电子器件。所述产品包括柔性包覆层、设于柔性包覆层内部的可活动通道、填充在可活动通道中的柔性材料以及设于所述可活动通道内部的电极材料。本发明通过在封装时嵌入通道，提供柔性电极在拉伸时的可活动空间，减小封装层的约束，提高柔性电子器件的拉伸性及抗疲劳性能，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 疲劳 柔性 电子器件 制备 方法 产品 | ||
【主权项】：
1.一种耐疲劳性柔性电子器件的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：S1：在辅助基底上刻画电极材料的形状结构，得到电极图案化薄膜结构；S2：在所述电极图案化薄膜结构的周围构建电极材料可活动通道；S3：在所述可活动通道内注入柔性材料，并将所述可活动通道的出入口包覆封装，得到耐疲劳性柔性电子器件。
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