[发明专利]一种耐疲劳性柔性电子器件的制备方法及产品

权利要求书

1.一种耐疲劳性柔性电子器件的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

S1：在辅助基底上刻画电极材料的形状结构，得到电极图案化薄膜结构；

S2：采用溶解法在所述电极图案化薄膜结构的周围构建电极材料可活动通道，所述溶解法具体包括如下步骤：

a11：将置于辅助基底上的有机可溶薄膜和置于目标基底上的有机可溶薄膜刻画成与所述电极图案化薄膜结构相匹配的形状，得到有机可溶薄膜辅助基底和有机可溶薄膜目标基底；

a12：将所述电极图案化薄膜结构湿润并将其转印到所述有机可溶薄膜目标基底上；

a13：将所述有机可溶薄膜辅助基底与步骤a12得到的产品相对压合，形成依次粘接的目标基底、有机可溶薄膜、电极图案化薄膜结构和有机可溶薄膜的四层结构；

a14：用柔性聚合物将步骤a13中得到的四层结构进行刮涂包覆，并加热固化，得到包覆有外壳的可活动通道结构；

a15：切除所述外壳的两端的余量，露出可活动通道结构的出入口；

a16：将步骤a15得到的物品置于溶解液中，溶解所述有机可溶薄膜，得到可活动通道；

或者，所述溶解法具体包括如下步骤：

a11：将有机可溶薄膜置于辅助基底上并采用蚀刻的方法将所述有机可溶薄膜表面加工成预定的微结构，并将表面具有微结构的有机可溶薄膜转印到目标基底上，然后将表面具有微结构的有机可溶薄膜刻画成与所述电极图案化薄膜结构相匹配的形状，得到表面具有微结构的有机可溶薄膜目标基底；

a12：将所述电极图案化薄膜结构辅助基底湿润与所述表面具有微结构的有机可溶薄膜目标基底相对压合，将电极图案化薄膜结构转印到表面具有微结构的有机可溶薄膜目标基底上；

a13：将另一个有机可溶薄膜置于另一个辅助基底上并采用蚀刻的方法将所述有机可溶薄膜表面加工成预定的微结构，并将表面具有微结构的有机可溶薄膜转印到辅助基底上，然后将表面具有微结构的有机可溶薄膜刻画成与所述电极图案化薄膜结构相匹配的形状，得到表面具有微结构的有机可溶薄膜辅助基底；

a14：将步骤a12与步骤a13得到的产品相对压合，形成依次粘接的目标基底、表面具有微结构的有机可溶薄膜、电极图案化薄膜结构和表面具有微结构的有机可溶薄膜的四层结构；

a15：用柔性聚合物将步骤a14中得到的四层结构进行刮涂包覆，并加热固化，得到包覆有外壳的可活动通道结构；

a16：切除所述外壳的两端的余量，露出可活动通道结构的出入口；

a17：将步骤a16得到的物品置于溶解液中，溶解所述有机可溶薄膜，得到可活动通道；

S3：在所述可活动通道内注入柔性材料，并将所述可活动通道的出入口包覆封装，得到耐疲劳性柔性电子器件。

2.根据权利要求1所述的一种耐疲劳性柔性电子器件的制备方法，其特征在于，所述辅助基底与目标基底为硅胶，所述辅助基底和目标基底的厚度为150mm～200mm。

3.根据权利要求1所述的一种耐疲劳性柔性电子器件的制备方法，其特征在于，所述电极材料的厚度为40mm～70mm；所述电极材料为铜箔。

4.根据权利要求1所述的一种耐疲劳性柔性电子器件的制备方法，其特征在于，所述有机可溶薄膜为聚乙烯醇薄膜，所述聚乙烯醇薄膜采用质量分数为7％-20％聚乙烯醇水溶液烘干制得，所述聚乙烯醇薄膜的厚度为40mm～70mm。

5.一种耐疲劳性柔性电子器件，其特征在于，采用如权利要求1-4中任一项所述的一种耐疲劳性柔性电子器件的制备方法制成，包括柔性包覆层、设于柔性包覆层内部的可活动通道、填充在可活动通道中的柔性材料以及设于所述可活动通道内部的电极材料。

6.根据权利要求5所述的一种耐疲劳性柔性电子器件，其特征在于，所述可活动通道的上下壁为锯齿状结构，所述可活动通道的上下壁上还设有络型微柱。