[发明专利]闩锁免疫的双向ESD防护器件

摘要

本发明提供一种闩锁免疫的双向ESD防护器件，包括：P型衬底、N型区、第一P+接触区、第一N+接触区、第一P+隔离区、第一P型埋层、TOP层；第二P+接触区、第二N+接触区、第二P+隔离区、第二P型埋层；第一N+接触区、第一P+接触区通过金属短接形成金属阳极；第二N+接触区、第二P+接触区通过金属短接形成金属阳极，本发明可以通过调整P+接触区下方的P型埋层浓度来调节维持电流，从而避免器件发生闩锁；P型埋层的存在能够改变电流分布，使器件IV曲线呈现出多次snapback的特性，提高器件在ESD脉冲电流下的鲁棒性。

主权项

1.一种闩锁免疫的双向ESD防护器件，其特征在于包括：P型衬底(00)、位于P型衬底上方的N型区(01)；位于N型区(01)内部上方左侧的第一P+接触区(211)、位于N型区(01)内部上方左侧的第一N+接触区(111)、位于N型区(01)内部上方左侧的第一P+隔离区(221)、位于N型区(01)内部的第一P型埋层(231)；其中，第一P+接触区(211)位于第一N+接触区(111)左侧，第一P+隔离区(221)位于第一N+接触区(111)右侧，第一P型埋层(231)位于第一N+接触区(111)、第一P+接触区(211)、第一P+隔离区(221)下方且与第一N+接触区(111)、第一P+接触区(211)、第一P+隔离区(221)相切；位于N型区(01)内部上方的TOP层(24)；位于N型区(01)内部上方右侧的第二P+接触区(212)、位于N型区(01)内部上方右侧的第二N+接触区(112)、位于N型区(01)内部上方右侧的第二P+隔离区(222)、位于N型区(01)内部第二P型埋层(232)；其中，第二P+接触区(212)位于第一N+接触区(112)右侧，第二P+隔离区(222)位于第一N+接触区(112)左侧，第二P型埋层(232)位于第二N+接触区(112)、第二P+接触区(212)、第二P+隔离区(222)下方且与第二N+接触区(112)、第二P+接触区(212)、第二P+隔离区(222)相切；第一N+接触区(111)与第一P+接触区(211)通过金属短接形成金属阳极(31)；第二N+接触区(112)、第二P+接触区(212)通过金属短接形成金属阴极(32)；N型区(01)为NWELL区或N型外延层。